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自2020年疫情爆发以来,远程办公、网上教育、流媒体等等应用引爆对消费电子及云服务的需求增长,全球数字化转型加速。与此同时,包括存储芯片在内的半导体行业在突如其来的需求以及供应链加速囤货的作用下,最终形成长达近两年的全球性全面缺货浪潮。
然而,从2021年三季度开始全面的供不应求已经转化为结构性的供需失衡,长短料现象在各大终端市场持续发酵,企业库存水位逐渐堆高,下游进入库存调整周期。进入2022年,在俄乌冲突、疫情重燃、通胀上升等一系列事件冲击下,全球经济下行风险加剧,对智能手机、PC等科技产品的需求正在快速下降,“低需求高库存”的困境不断发酵,导致供需关系迅速转变,供过于求的市况引发市场的进一步下跌。
正值市场多变之秋,CFM闪存市场推出《2022年全球存储市场总结与2023年展望》,立足2022年展望2023年及未来存储市场的变化与发展。更多详情请联系Service@ChinaFlashMarket.com
一、2022年NAND Flash和DRAM市场容量仅以个位数百分比增长
三年“疫情红利”消退,2022年成为拐点,存储市场规模增长步入尾声。据CFM闪存市场预计,2022年NAND Flash市场容量规模增长6%达到610 B GB,DRAM 市场容量规模增长4%达到194 B Gb。相较于此前NAND Flash和DRAM分别保持30%和20%以上的速度增长,2022年的6%与4%的增速无疑处在历史低位,对于2023年在需求改善的前提下有望回到20%和10%的增长速度。
二、2022年全球存储市场规模下跌13%, 2023年或恢复温和增长
在这些冲击影响之下,不论是NAND Flash还是DRAM的价格均纷纷大跌,其中Flash Wafer 512Gb TLC价格已经跌至1.9美元,年内跌幅达54%。价格暴跌、容量增长放缓,导致今年三季度存储市场规模环比大跌26.7%至316.38亿美元,创10个季度新低;2022年1-9月存储市场累计规模为1165.34亿美元,同比下滑2.8%。而在四季度情况并未好转,预计DRAM和NAND Flash的市场规模依然会环比下跌20%,而价格的持续下跌预计仍将延续到2023年一季度。整体来看,CFM闪存市场预计2022年全球存储市场规模将下滑约13%,终结2020、2021年两年的连续增长。
分季度来看,2022年四季度存储市场规模已经回到2019年一、二季度的周期底部水平,在淡季效应下预计2023年一季度将环比续跌,不过,一季度或将为2023年最低点,从2023年二季度起,存储市场规模将逐季增长。
三、库存积压、收入下滑,“降成本、去库存”成为下游厂商的主旋律
2020-2021年期间,包括存储芯片在内的整个半导体行业在突如其来的需求推动以及“缺货”的恐慌心理下,供应链加速甚至加倍囤货。但消费电子并非为一次性使用的特殊需求,在短期内不会产生复购,因此过去两年时间内激增的购买量不可能持续出现。2022年在各种不确定性因素的干扰下,人们的消费观念趋于保守,于是“需求”消失了,而仓库里的产品却越堆越多。
从下图中可以看出,在2022年二季度末华硕、联想、小米的库存周转天数均创新高,虽然在三季度的库存均有不同程度的减少,但仍然远高于2019年的水平。而部分PC大厂也表示现阶段PC产业库存还未回到健康状态,去库存效果有限,可能在2023年下半年供需才有机会恢复正常。在未来需求能见度不高的情况下,毫无疑问各大终端厂商将把重心持续放在去库存以及降成本上。而“降成本”最为有效的手段之一即为裁员,据报道,亚马逊、谷歌、Meta、抖音、惠普、小米等等均已启动裁员计划。
在一系列不确定性因素的冲击下,消费需求受到极大的抑制。CFM闪存市场预计2022年智能手机出货量将为12.5亿部,同比减少6.7%,预计2023年下半年会有一定回温使得2023全年出货量呈现微幅增长。在经历两年的高速增长后,PC需求开始减退,2022年PC出货量将同比减少15%至2.93亿台,同时也将会在2023年继续减少5%。各大云服务商的收入均出现不同程度的放缓迹象,而库存调整的问题也出现在了服务器市场,但基于AI和云计算的整体增长前景持续,部分需求将延后,CFM闪存市场预计2022年服务器出货量为1330万台同比增长3%,2023年有望恢复至5%的增速。
四、汽车市场依然释放着热能
与消费电子市场的“寒意”不同,汽车市场仍旧释放出热能。据中汽协最新预测,2022年新能源车汽车销量670万辆,同比增长90.3%,预计2023年还将增长35%至900万辆,渗透率达到32.6%。
而汽车电动化的发展也加速对汽车存储的需求。美光在9-11月季度中汽车市场收入同比增长30%,尤其是对新一代的IVI系统以及更先进的驾驶辅助系统等需求的增长,推动着2023年汽车存储市场的强劲增长。在接下来的五年里,美光也预计汽车DRAM和NAND的年复合增长率将会是整体DRAM和NAND市场的两倍。
五、存储原厂经营策略将发生转变
供需失衡的环境使得存储原厂的库存水位飙涨。美光9-11月财季库存周转天数已经飙升至214天,首度突破150天的高水位,上个季度为139天,去年同期为103天。而在DRAM/NAND Flash价格持续下跌的市况下,企业也遭受着利润损失的侵蚀。在面对库存高涨、四季度普遍利润亏损的情形下,基于对未来大部分市场需求不明朗的预期,各大原厂也在减少产出、降低投资、放缓技术升级等等方面作出了一些相应的措施,试图稳定价格的向下波动。
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本报告一共36页,完整报告内容包括存储市场价格变化分析、原厂的经营策略分析、存储容量的未来增长、各应用市场的变化与展望、NAND Flash和DRAM的技术发展等内容。
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