美光宣布，采用其1β DRAM制程节点的合格样品将交付给选定的智能手机制造商和芯片组合作伙伴，并已与世界上最先进的DRAM技术节点实现批量生产准备。美光将在LPDDR5X产品首次推出下一代工艺技术，最高速度可达8.5 Gb/s。

1β制程节点在性能、比特密度和功率效率方面都有显著的提高。移动产品将率先从 1β DRAM 的提升中获益，提升新一代智能手机的性能的同时，消耗更少的电力。对于支持从智能车辆到数据中心的高响应应用程序、实时服务、个性化和情境化体验同样至关重要。

作为世界上最先进的DRAM工艺节点，1β代表了美光市场领先地位的提升，并与1α技术节点的批量发货紧密相连。该节点在每片16Gb的容量下实现了约15%的能效提升和超过35%的位密度提升。

来源：美光

这一里程碑也紧随美光7月份推出全球首款232层NAND之后，该产品的设计旨在提高存储的前所未有的性能和面密度。凭借这些新的第一，美光继续在存储器和存储创新领域引领市场步伐，这两项创新都基于美光在尖端研发（R&D）和制造工艺技术方面的深厚根基。

通过LPDDR5X的送样，移动生态系统将率先获得1βDRAM的显著收益，这将解锁下一代移动创新和高级智能手机体验，同时降低功耗。凭借1β的速度和密度，高带宽用例在下载、启动和同时使用数据密集型5G和人工智能（AI）应用程序时将反应迅速、流畅。此外，基于1β的LPDDR5X不仅可以提高智能手机摄像头的启动、夜间模式和人像模式的速度和清晰度，还可以实现无抖动、高分辨率的8K视频录制和直观的手机视频编辑。

1β制程节点的低功耗，为智能手机提供了市场上最节能的存储技术。这使得智能手机制造商能够设计出电池寿命更高效的设备，这对于消费者在使用耗能、数据密集型应用程序的同时延长电池寿命至关重要。

通过在基于1β的LPDDR5X上实现新的JEDEC增强的动态电压和频率缩放扩展核心（eDVFSC）技术，还可以实现节能。以高达3200 Mbps的双倍频率层添加eDVFSC提供了改进的节能控制，以实现基于独特最终用户模式的更高效的电力使用。

美光通过精密的光刻和纳米制造挑战物理定律

Micron 1β节点以更小的占地面积提供更高的内存容量，从而降低每bit数据的成本。DRAM的规模很大程度上取决于每平方毫米半导体面积提供更多更快的内存的能力，这需要缩小电路，以便在大约指甲大小的芯片上容纳数十亿个存储单元。对于每个工艺节点，半导体行业几十年来每年或二十年都在缩减器件；然而，随着芯片越来越小，在晶片上定义电路图案需要挑战物理定律。

虽然该行业已经开始转向一种使用极紫外光来克服这些技术挑战的新工具，但美光已经利用其已被证实的前沿纳米制造和光刻技术，绕过了这一新兴技术。要做到这一点，需要应用公司专有的、先进的多图案技术和浸没能力，以最高的精度对这些微小的特征进行蚀刻。这种创新带来的更大容量也将使智能手机和物联网设备等外形尺寸较小的设备能够在紧凑的空间中容纳更多内存。

3年多来，美光进一步投资数十亿美元，将其晶圆厂改造为先进、高度自动化、可持续和人工智能驱动的设施。这包括对美光在日本广岛的工厂的投资，该工厂将在1β上大规模生产DRAM。

1β DRAM将应用于嵌入式、数据中心、客户端、消费者、工业和汽车领域

Micron的1β DRAM节点为互联世界的发展提供了一个通用的基础，互联世界需要快速、无处不在、节能的存储器来推动数字化、优化和自动化。在1β上制造的高密度、低功耗存储器能够在数据密集的智能事物、系统和应用程序之间实现更高效的数据流，并实现从边缘到云的更多智能。在未来一年，美光将开始在嵌入式、数据中心、客户端、消费者、工业和汽车领域（包括图形存储器、高带宽存储器等）扩大1β的投资组合。

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