【热点速读】

1、三星：计划2023年初推出32Gb DDR5，2024年推出1TB内存模块；

2、外媒称高通将重返服务器芯片市场；

3、韩媒：三星电子库存资产首次超过50万亿韩元，同比增产55%；

4、三星下调10-11月智能手机出货量，明显低于去年同期；

5、半导体设备厂应用材料第三季营收创新高，产品仍供不应求；

6、兆易创新推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列；

1、三星：计划2023年初推出32Gb DDR5，2024年推出1TB内存模块

据外媒报道，为了支持 AMD 和 Intel 推出下一代服务器平台，三星计划推出一系列全新的 DDR5 服务器内存模块，配备业界首款 512GB RDIMM/LRDIMM，并基于16Gb 和 24Gb DDR5芯片。三星 DDR5 创新的下一步——32Gb IC——将在 2023 年初推出，并计划在2023年底或2024年初制造1TB内存模块。与此同时，三星打算在两年内发布数据传输速率为7200 MT/s的产品。

报道称，三星32Gb DDR5 [IC] 目前正在一个新的 [under-14nm] 工艺节点上开发，并计划于明年初推出，基于 32Gb 的 UDIMM 将于明年年底或 2024 年初上市。届时三星可能会正式推出其基础上的第一款产品——用于客户端 PC 的 32GB 无缓冲 DIMM。随后，三星将展示其 1TB DDR5 内存模块，该模块将使用 32 个 8-Hi 32GB 堆栈，并将针对 2024 年至 2025 年时间框架内的服务器平台。 

2、外媒称高通将重返服务器芯片市场

据外媒报道，美国芯片大厂高通准备在服务器芯片市场卷土重来，瓜分这个高成长产业的280亿美元商机，并降低自己对智能手机市场的依赖。

消息人士指出，高通正为去年以斥资 14 亿美元收购的 CPU 新创 Nuvia 产品寻找新客户，以重振该公司在服务器领域的雄心。目前高通已与亚马逊的 AWS (云端运算服务) 业务接洽当中，亚马逊已同意考虑高通的产品提案。

高通 CEO Cristiano Amon曾表示，Nuvia 技术可应用于其智能手机、笔记本电脑和汽车处理器。不过，Nuvia 最先成立的目标是研发基于 ARM 架构、用于数据中心的服务器芯片，希望从英特尔、AMD和 Nvidia手中分得一杯羹。

高通重返服务器业务将需要与先前的潜在客户重建信任，如果这此成功的话，潜在获利规模可能相当大，因为单个高阶服务器芯片就要价超过 1 万美元。

3、韩媒：三星电子库存资产首次超过50万亿韩元，同比增产55%

随着全球通胀，对经济衰退的担忧正在显现，大公司中长期库存明显增加。这是因为，随着下游需求急剧收缩，不仅是成品，而且导致零件的管道的库存消耗放缓。

据韩媒报道，截至今年上半年，三星电子库存为52.92万亿韩元，首次突破50万亿韩元大关。与去年同期（335,924亿韩元）相比，增长了55.1%。SK海力士库存增加33.2%至118,787亿韩元，LG电子增加16.3%至96,844亿韩元。

报道称，三星电子已将电视等视频设备生产线的利用率从第一季度（1-3月）的84.3%下调至第二季度的63.7%，将手机产线的利用率从81.0%下调至70.2%。

4、三星下调10-11月智能手机出货量，明显低于去年同期

据韩媒报导，三星已下调10-11月智能手机合计出货量至3400万支，这一数字明显低于2021年同期及上一季出货量。由于三星持续下调Q4手机产量与零组件订单量，韩媒预估，2022年全年，三星智能手机出货量可能只有2.6亿支，较年中下修后的预估量（3亿支）又再降低13.3％，也低于2021年出货量约2.7亿支，仅勉强高于2020年。

5、半导体设备厂应用材料第三季营收创新高，产品仍供不应求

当地时间周四美股盘后，半导体设备大厂应用材料（Applied Materials）公布2022会计年度第3季（截至2022年7月31日）财报。报告内，公司营收为65.20亿美元，同比增长5%，创下历史新高。

应用材料表示，产品仍处于供不应求状态、积压订单持续攀高，未来数季仍将受制于供给面因素。目前看来，2022年晶圆厂设备支出约950亿美元，公司2022年度晶圆厂设备营收预估将增长约15%。

6、兆易创新推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

兆易创新宣布推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平，在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。

兆易创新GD25UF产品系列工作电压可扩展至1.14~1.6V，具有单通道、双通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式，支持不同容量选择，能够满足智能设备所需的代码存储要求。

同时，为进一步满足低功耗的需求，GD25UF产品系列特别提供了Normal Mode和Low Power Mode两种工作模式。在Normal Mode下，器件读取电流在四通道120MHz的频率下低至6mA；在Low Power Mode下，器件读取电流在四通道1MHz频率下低至0.5mA，擦写电流低至7mA，睡眠功耗低至0.1uA。

相比于1.8V供电的SPI NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal Mode下，相同电流情况下的功耗降低了33%，而在Low Power Mode下，相同频率下的功耗降低了70%，有效延长了设备的续航时间。

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