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美光超三星,其1α DRAM拥有业界最高存储密度!
闪存市场 | 2021-07-23 16:04:25    阅读:48   发布文章

在推动DRAM制程向1α节点演变中,美光在三家原厂中态度最为积极,并于今年6月开始批量出货1α级工艺LPDDR4x和DDR4;紧随其后的就是SK海力士,于今年7月开始量产第四代10nm(1α)级工艺的8Gb LPDDR4 移动端DRAM产品。然而,存储巨头三星却尚未发布关于1α制程产品的信息。

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随着美光和SK海力士迈入下一技术节点,三星的技术优势难免会被超越。据韩媒报道,美光最新产品拥有0.315Gb/mm²的存储密度,half pitch为14.3nm,超越了三星1z制程工艺0.299 Gb/mm²的存储密度,是当前业内存储密度最高的产品。

既然在量产时程被超越,报道称,三星计划在今年底之前量产1z制程DRAM,线宽仅为14nm,比美光的要小。

DRAM制程竞争激烈

除了在技术制程上竞争激烈之外,三家原厂在投资扩产方面也你争我抢。在DRAM领域,SK海力士M16工厂已于今年初竣工,首次引进了EUV光刻设备,并预计从今年下半年开始投产;美光A3厂区也如期完工,将投产1α制程产品。

投资方面,据韩媒报道,预计今年三星在内存方面的投资将达20兆韩元,SK海力士达14兆韩元,美光达100亿美元。出货量方面,预计今年三星内存出货量将增长27%,SK海力士将增长21%,美光将增长26%。

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