据韩媒消息称，原本三星计划将华城专门用于极紫外光刻设备（EUV）的'V1'生产线中的某些DRAM生产线转换为晶圆代工，但是该计划已经取消，决定维持DRAM生产线。

据悉，三星华城工厂有3条生产线：V1、S3和S4，其中专用于EUV的V1产线大致分为上和下两部分，上部和下部分东、西两侧，上东部和下东部为晶圆代工生产线，三星已于4月底完成华城V1生产线西侧的建造工序，引入20多台EUV设备，用于生产DRAM。

美国奥斯汀产能逐渐恢复，且扩大在美投资，或是三星改变策略的诱因

从2020下半年开始，晶圆代工产能紧缺，2021年第一季度持续，且涨价不断。在此波全球芯片缺货的浪潮中，三星LSI部门的产能供应也短缺，尤其是三星奥斯汀工厂产能损失，一度使得产能供应短缺进一步恶化。

因应市场不断持续增长的需求，原本三星计划扩大晶圆代工产能，而之所以改变计划，主要原因可能是随着英特尔、台积电纷纷在美国大手笔投资建厂，格罗方德也计划在美国投资建设制造工厂，加入扩产队列，三星也欲将美国作为主要的晶圆代工生产基地。

首先，三星美国奥斯汀工厂运转逐渐正常，4月已经恢复一些生产，5月份可全面恢复到正常供货水平，恢复进展比预期要提前至少半个月。其次，三星目标是计划在2030年超越台积电，成为全球最大晶圆代工龙头企业，早就有消息称三星将在美国投资170亿美元，建造晶圆代工厂，最早在2023年投入运营。

此外，三星可能与其他企业合作扩充产能。之前有消息称，三星与联电将启动全新合作模式，将由三星出资买设备置于在联电为其打造的南科P6厂，由联电为其代工生产ISP及相关面板驱动IC，为三星提供产能满足市场需求。在不久之后，联电就宣布与多家全球领先的客户共同携手，扩充位于台南科学园区 Fab 12A P6 厂区产能，将采 28nm制程，未来亦可延伸至14nm，月产能 2.75万片，扩建产能预计2023 年第二季投产。

三星预估DRAM涨价到年底，美光、SK海力士加快技术升级，三星需确保DRAM市场地位

DRAM市场，三星一直处于龙头地位，2021年第一季度 DRAM量价齐升，三星预估二季度服务器需求的强劲将推动存储业务的增长，全球芯片短缺可能在下半年持续，基于全面的强劲需求，DRAM价格在下半年可望保持上升轨道。三星维持DRAM生产线，也是看好DRAM市场乐观。

另一方面，三星、SK海力士、美光三大DRAM原厂开始进入EUV时代和第四代10nm级技术竞争阶段。三星2020年在1Znm制程就导入了EUV设备，可谓抢占了先机，2021年将加快扩大15nm DRAM，以及加快导入EUV设备生产14nm DRAM。

美光和SK海力士也在加快脚步，美光1-alpha DRAM实现了量产，并未导入EUV设备，致力于在2022年成为主要生产力，计划在2022下半年导入1-alpha技术生产DDR5产品。SK海力士新M16工厂已竣工，将首次引进EUV光刻设备，计划2021年内完成EUV设备导入1anm技术，实现批量生产。

三星称霸晶圆代工市场的野心未变，但DRAM是其半导体核心业务，而其晶圆代工目前的贡献和市场远不及DRAM，因此确保DRAM产能和技术竞争力自然是三星首要任务。

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