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继卡位176层3D NAND技术制高点后,美光再次宣布DRAM技术突破!
闪存市场 | 2021-01-27 12:12:00    阅读:11753   发布文章

美光宣布批量出货1αnm(1-alpha)节点DRAM产品,新一代先进技术与之前的1Znm节点相比,存储密提高了40%,功耗和性能方面也都有明显的改善。

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来源:美光

美光表示,已经在台湾地区的工厂批量生产1αnm工艺节点的DRAM,为8Gb和16Gb容量,首先是面向PC客户推出DDR4和消费类Crucial PC DRAM产品,同时面向移动市场推出的LPDDR4样品也已进入认证阶段,预计将在2021年也会推出基于该技术的其他新产品,比如LPDDR5。

美光是主要的NAND Flash和DRAM芯片供应商,2020年10月美光宣布量产176层3D NAND,震撼业界。如今,美光再次宣布出货1αnm(1-alpha)DRAM技术又是一大突破。

美光量产1αnm技术DRAM,三星、SK海力士新一代技术也将接踵而至

1αnm是第四代10nm级DRAM技术,是三星、SK海力士、美光2021年角逐的新一代DRAM技术,随着美光宣布量产1αnm(1-alpha)DRAM产品,预计三星、SK海力士1αnm也将会在不久到来。

据悉,三星已在2020年基于1Znm制程技术量产16Gb LPDDR5,并率先导入EUV工艺,三星也规划将在2021年大量生产基于第四代10nm级(1α)EUV工艺的16Gb DDR5/LPDDR5。

SK海力士新建的M16工厂也已完成EUV洁净室的建设,待设备安装和调试过后,预计将在2021下半年开始量产第四代1αnm 制程DRAM。

美光看好DRAM前景,量产1αnm技术助力DRAM业务成长

无论是3D NAND还是DRAM技术,美光的技术进展都非常的迅速,尤其是推出176层3D NAND之后将在2021年首季末规模化生产,领先业界。美光量产1αnm技术DRAM不仅仅是为了应对市场激烈的竞争,也是为了迎接DRAM市场需求的成长。

2021年DRAM市况乐观,而之前在2020年12月份,美光桃园DRAM工厂停电以及台湾地区地震短暂影响桃园和台中厂,导致美光在2021财年Q2(2020年12月-2021年2月)的DRAM供应减少,如今美光1αnm技术进入量产阶段,可望提高DRAM产量,满足市场需求的增长。

另一方面,因为2020下半年数据中心和企业领域需求疲软,企业级DRAM收入下滑影响美光2021财年Q1(2020年9-11月)DRAM营收40.56亿美元也环比下滑了7.2%,但是美光认为DRAM已经过了谷底,再加上客户端和数据中心模块中16Gb的采用率有所提高,预计2021年DRAM行业需求增长将达到15%以上。

在美光1αnm技术的驱动下,不仅有助于提高DRAM产量,而且每片晶圆的bit比1Znm提高40%,预计2021年成本将降低5%左右,助力提高美光DRAM业务获利。

美光技术与产品执行副总裁斯科特·德伯尔(Scott DeBoer)表示:1αnm工艺节点体现了美光在DRAM方面的优越表现,计划将在2021年集中提高1αnm节点的DRAM组合产品,以满足当今DRAM市场需求,以及增强应用范围和影响力,从移动市场向汽车行业扩展。

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