新闻  |   论坛  |   博客  |   在线研讨会
SK海力士新厂下月竣工,下半年量产第四代10nm级DRAM
闪存市场 | 2021-01-19 11:55:26    阅读:1068   发布文章

据外媒消息称,SK海力士新M16存储器半导体生产线将下月宣布正式竣工,并已完成EUV洁净室的建设,随后开始进入设备安装和调试阶段,预计将在2021下半年开始量产第四代1αnm 制程DRAM。

2.jpg

原厂加快导入EUV设备,三星率先导入,SK海力士紧随其后,DRAM进入1αnm工艺竞争

2021年DRAM将进入1α工艺DRAM技术节点,而EUV设备是未来DRAM技术发展的关键,因为与氟化氩(ArF)微影技术相比,EUV光源波长从 193nm 直接下降到了 13.5nm,光源的波长越短,在硅基板上雕出来的线宽就越细,有利于让半导体的电路图案越趋微细化,不仅能减少复杂的制造工序,同时提高半导体生产效率。

三星在2020年就首次导入了EUV设备量产16Gb LPDDR5,基于1Znm制程技术,更先进的技术相较于12Gb容量提升了33%,封装的厚度也薄了30%。同时,三星也规划将在2021年大量生产基于第四代10nm级(1α)EUV工艺的16Gb DDR5/LPDDR5。

SK海力士M16位于京畿道利川,是其第一条采用先进的EUV设备的生产线,SK海力士M16工厂利用EUV产线,也在推进第四代10nm级DRAM量产,预计2021下半年开始量产1α nm DRAM。

此外,除了三星和SK海力士,美光1αnm DRAM计划将在2021上半年量产8Gb DDR4,新建的A3也有望在2021年投产。不过,美光目前暂时还在评估EUV设备导入的时间节点,主要是考虑到整体经济效益,因为EUV设备造价不菲,设备单价超过1.3亿美金。

DRAM市况乐观,SK海力士DRAM业务比重高达7成,M16新厂助力业务提升

SK海力士是全球主要的NAND Flash和DRAM芯片供应商,在业务结构中,DRAM营收占比高达7成以上,而NAND Flash营收占比在25%左右。2019年全球存储市场需求疲软,2020年又遭遇“疫情”冲击,相较于2017年、2018年,SK海力士近两年获利减少。

在NAND Flash方面,2020年SK海力士收购了英特尔将NAND SSD业务、NAND组件和晶圆业务以及中国大连NAND工厂,将可助力SK海力士在SSD市场应用进一步扩大。

1.jpg

来源:SK海力士,中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

另一方面,2021年初DRAM市场行情好转,并看好2021全年DRAM市场商机可期。“疫情”宅经济需求下,服务器、笔记本正在不断增加基于16Gb颗粒内存模块需求,三星、小米、OPPO等旗舰机搭载的Mobile DRAM对8GB/12GB容量需求增加,高端配置甚至向16GB推进,5G手机销售也有望带动2021年出货恢复成长趋势。

三星平泽P2新厂已在2020年投产,美光计划2021上半年量产的1αnm制程,在成熟良率下,将比1Znm节点每片Wafer晶圆增加40%的Bit量,再加上SK海力士新M16工厂,共同因应需求的增长。同时,SK海力士M16新厂也将使其DRAM产能增加,助力其DRAM业务提升业绩,以及提高获利能力,稳固DRAM市场地位。

*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。

参与讨论
登录后参与讨论
推荐文章
最近访客