2020年存储产业面临着较大的挑战，同时原厂之间的竞争也急剧升温，三星、铠侠/西部数据不断投资扩产，之后SK海力士收购英特尔NAND业务，再加上三星率先在1Znm DRAM导入EUV设备，无论是在NAND Flash还是DRAM上，都给美光带来了不小的压力。

美光作为全球主要的存储芯片供应商，上个月率先公开宣布量产176层3D NAND，震撼业界，在DRAM技术上，美光也有了新的动向。

SK海力士步步紧逼，美光加快176层3D NAND进展，缓解压力

2020年原厂动作频繁，加剧NAND Flash市场动荡，首先是三星、铠侠/西部数据不断加码投资建厂，展开新一轮的产能竞赛，三星西安二期、平泽P2，铠侠K2、Fab7新厂，以及长江存储国家存储器基地项目二期也开工建设，将给未来NAND Flash市场供应端带来较大的变化。

其次是来自SK海力士的压力。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，2020年Q3 NAND Flash市场排名，三星依然排名第一，铠侠和西部数据紧随其后，SK海力士市占11.3%排第四，略高于美光市占的10.3%，英特尔市占7.9%，排名第六。

如今，英特尔将NAND SSD业务、NAND组件和晶圆业务以及中国大连NAND工厂卖给SK海力士，并将在2021年底完成移交。SK海力士若加上收购英特尔NAND业务带来的贡献，将引发2021年NAND Flash全球格局动荡，SK海力士与美光之间的市占差距恐进一步扩大。

此外，在3D NAND技术上，SK海力士也是步步紧逼，美光和SK海力士先后公开宣布突破176层3D NAND技术。不过，美光正在加快批量生产176层3D NAND的步伐，同时已送样给部分控制芯片厂商，预计2021下半年将有望实现176层3D NAND的商用。

美光1αnm DRAM将在2021年量产，将与三星、SK海力士展开竞争 

美光作为主要的DRAM芯片供应商，曾在2012年收购尔必达之后，DRAM市占率曾一度跃居全球排名第二，然而市场竞争不断加剧，美光DRAM市占不断流失。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，2020年Q3 DRAM市场排名，三星以42.1%市占排名第一，SK海力士市占28.8%排第二，美光市占24.1%，显然与SK海力士市占差距明显。

在DRAM技术上，三星已在2020年量产的16Gb LPDDR5中首次导入EUV工艺，基于1Znm制程技术，更先进的技术相较于12Gb容量提升了33%，封装的厚度也薄了30%。同时，三星也规划将在2021年大量生产基于第四代10nm级（1α）EUV工艺的16Gb DDR5/LPDDR5。

SK海力士计划利用EUV技术优势，也正在推进第四代10nm级(1a)DRAM量产，预计2021年开始批量生产1a nm DRAM。同时，SK海力士新建的利川M16厂预计将在2021年上半投片，下半年实现产品的出货。面对三星和SK海力士技术的推进，美光1αnm DRAM也是计划将在2021上半年量产8Gb DDR4。

三星、SK海力士将陆续导入EUV设备，美光未来3代都不考虑，到底为何？

EUV设备是未来DRAM技术发展的关键，三星、SK海力士已将EUV导入节点提上了日程，但是美光1αnm工艺节点仍未考虑导入EUV设备。根据美光的DRAM技术规划，不仅DRAM在1αnm技术节点不考虑EUV设备，之后的1βnm、1γnm也坚持不考虑，这让业内人士出乎意外。

美光可能是考虑到整体成本负担，因为EUV设备价格不菲，且ASML是全球唯一能够稳定提供EUV设备的厂商，在三星、SK海力士DRAM对EUV需求增加的推动下，ASML的EUV设备可能会供不应求，2021年EUV设备交付量在45台到50台之间。

其次，从产业发展而言，每年DRAM市场的Bit供应增加在15%-20%，保持着健康的供需关系。美光新一代的1αnm工艺节点，在成熟良率下，将比1Znm节点每片Wafer晶圆增加40%的Bit量，已可满足当下DRAM市场需求，同时也不必承担因为EUV设备和产线改造造成的成本压力，实现更优的经济效益。

综合考虑，美光预计可能要到1δnm节点才会使用EUV设备，同时美光也在为导入EUV设备与ASML保持沟通，以及准备相关的研发和管理人才，会一直评估导入EUV设备的时间节点。

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